மைக்ரான் அதன் எதிர்கால ssd இல் nand qlc நினைவகத்தைப் பயன்படுத்துவதை உறுதிப்படுத்துகிறது

முதலில் அது எஸ்.எல்.சி, பின்னர் எம்.எல்.சி, பின்னர் டி.எல்.சி மற்றும் இப்போது அது கியூ.எல்.சியின் முறை, இவை அனைத்தும் எஸ்.எஸ்.டி வட்டுகளை உருவாக்க பயன்படும் வெவ்வேறு NAND மெமரி தொழில்நுட்பங்களின் பெயர்கள். வித்தியாசம் நினைவக கலத்திற்கு சேமிக்கப்படும் பிட்களின் எண்ணிக்கையில் முறையே 1, 2, 3 மற்றும் 4 ஆகும். ஒரு கலத்திற்கு சேமிக்கப்படும் பிட்களின் எண்ணிக்கையை அதிகரிப்பதன் மூலம், அதிக சேமிப்பக அடர்த்தி அடையப்படுகிறது, எனவே அதே திறன் கொண்ட எஸ்.எஸ்.டிக்கள் சிறிய சில்லுகளுடன் தயாரிக்கப்படலாம், இதனால் அவை மலிவானவை. QLC நினைவகத்தின் பயன்பாட்டை உறுதிப்படுத்திய மைக்ரான் கடைசியாக இருந்தது.

மைக்ரான் QLC நினைவுகளைப் பயன்படுத்தும்

டி.எல்.சியை விட அதிக இயக்க மின்னழுத்தம் தேவைப்படுவதால், கியூ.எல்.சி நினைவுகள் பல சிக்கல்களைத் தருகின்றன, மேலும் இது தொடர்ச்சியான எழுதும் மற்றும் அழிக்கும் செயல்பாடுகள் காரணமாக செல்கள் வேகமாக வெளியேறிவிடும், இது ஏற்கனவே டி.எல்.சி வட்டுகளில் உச்சரிக்கப்படுகிறது நினைவக அடிப்படையிலான QLC களில் இது இன்னும் அதிகமாக இருக்கும், இது தவிர்க்க முடியாதது.

எஸ்.எல்.டி வட்டுகளில் டி.எல்.சி மற்றும் எம்.எல்.சி நினைவுகளுடன் எங்கள் இடுகையைப் படிக்க பரிந்துரைக்கிறோம்

இந்த அதிகரித்த உடைகளுக்கு ஈடுசெய்ய ஒரு வழி, அதிக மேம்பட்ட கட்டுப்படுத்திகளைப் பயன்படுத்துவதன் மூலமும் , பெரிய திறன் வட்டுகளுடன் இருப்பதாலும் ஆகும், ஏனெனில் அதிக எண்ணிக்கையிலான செல்களைக் கொண்டிருப்பது ஒவ்வொன்றிலும் மீண்டும் எழுதப்பட்ட எண்ணிக்கையை குறைக்கிறது. தோஷிபா கடந்த ஆண்டு தனது கியூஎல்சி நினைவுகள் 1, 000 எழுதும் சுழற்சிகளை ஆதரிப்பதாகக் கூறியது.

இந்த புதிய மைக்ரான் NAND QLC அடிப்படையிலான வட்டுகளின் திறன்கள் குறித்து எந்த விவரங்களும் இதுவரை வெளியிடப்படவில்லை. இந்த புதிய நினைவுகள் டி.எல்.சி உடன் அடைந்ததை விட 33% அதிக சேமிப்பு அடர்த்தியை வழங்குகின்றன , எனவே இது நிச்சயமாக நாம் எதிர்பார்க்கக்கூடிய திறன் அதிகரிப்பதற்கான ஒரு நல்ல அறிகுறியாகும்.

ஆனந்தெக் தொழில்நுட்ப எழுத்துரு