இன்டெல் பிராட்வெல் கோர் மீ ஹாஸ்வெல்லின் ஐபிசியை சற்று மேம்படுத்துகிறது

ஒரு செயலியின் உற்பத்தி செயல்பாட்டில் குறைப்புகள் புதிய சில்லுகளின் ஆற்றல் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதை நோக்கமாகக் கொண்டுள்ளன, ஆனால் கடிகார சுழற்சிக்கு (ஐபிசி) அவற்றின் செயல்திறனை மேம்படுத்தாது. இதுபோன்ற போதிலும், இன்டெல் பிராட்வெல் கோர் எம் க்கான மைக்ரோஆர்கிடெக்டரில் சிறிய மாற்றங்களைச் செய்துள்ளதாகத் தெரிகிறது, இது ஹஸ்வெல்லுடன் ஒப்பிடும்போது அதன் ஐபிசியை சற்று மேம்படுத்த முடிந்தது.

எதிர்கால இன்டெல் பிராட்வெல் செயலிகள் முக்கியமாக 14nm செயல்முறையின் கீழ் தயாரிக்கப்படுகின்றன, இது ஐவி பிரிட்ஜில் ஒரு காலத்தில் பயன்படுத்தப்பட்ட அதே 22nm ஐப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்பட்ட தற்போதைய ஹஸ்வெலுடன் ஒப்பிடும்போது ஆற்றல் செயல்திறனில் நல்ல முன்னேற்றத்தைக் குறிக்கிறது. இது பிராட்வெல் கோர் எம் ஒரு டிடிபி வெறும் 4.5W ஆக இருக்க அனுமதிக்கிறது.

இன்டெல் பிராட்வெல்லில் எரிசக்தி செயல்திறனை அதிகரிப்பதில் திருப்தியடையவில்லை , அதே கடிகார அதிர்வெண்ணில் ஹஸ்வெல் இயங்குவதை விட அதன் செயல்திறனை சற்று அதிகரிக்க முடிந்தது , இது 2.97% முன்னேற்றம் சிறந்தது, இது ஒரு சிறிய விஷயம் போல் தோன்றலாம் ஆனால் பிராட்வெல்லின் குறிக்கோள் ஹஸ்வெல்லின் செயல்திறனை மேம்படுத்துவது அல்ல, ஆனால் அதன் ஆற்றல் திறனை மேம்படுத்துவதாகும் என்பதை நினைவில் கொள்ளுங்கள்.

ஆதாரம்: wccftech